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专利概况
专利名称 介电结构
申请号 CN02153559.0 申请日
公开(公告)号 CN1424733A 公开(公告)日
申请(专利权)人 希普利公司 发明人 C·S·艾伦; M·A·热扎尼克; S·M·凯恩斯
专利来源 国家知识产权局 转化方式
摘要

本发明提供特别适用于电容器且具有充分量之 能促使导电层镀覆的镀覆掺杂物的多层介电结构,并同时提供 形成此种结构的方法。此种介电结构对于其后所施加的导电层 会展现出增强的附着力。

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