专利名称 | 一种制备正交相单晶纳米带结构三氧化钼材料的方法 | ||
申请号 | CN201110110500.7 | 申请日 | |
公开(公告)号 | CN102139923A | 公开(公告)日 | |
申请(专利权)人 | 西安工程大学 | 发明人 | 高宾; 张晓军 |
专利来源 | 国家知识产权局 | 转化方式 | 委托人转化 |
摘要 |
本发明公开的一种制备正交相单晶纳米带结构三氧化钼材料的方法,采用硝酸酸化七钼酸铵得到钼酸溶胶,加入模板剂十六烷基三甲基溴化铵,然后经过水热反应、过滤、洗剂和干燥得到正交相单晶三氧化钼纳米带。本发明制备正交相单晶纳米带结构三氧化钼材料的方法,采用七钼酸铵和硝酸为原料,十六烷基三甲基溴化铵为模板剂,酸化过程简单,工艺易于控制,反应温度低,产品宽度及厚度小,纳米带为单晶结构,形貌良好,制备工艺流程周期短,产率高,制备设备简单,成本低。获得了宽度50-100nm,长度1-10μm,厚度30-60nm,正交相单晶纳米带结构三氧化钼粉体材料,三氧化钼纳米带粉体粒度均匀。 |