本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种M型渐变波导半导体激光器结构，在衬底层上由下至上依次包括：衬底(1)，缓冲层(2)，Si掺杂下限制层(3)，M型渐变下波导层(4)，下势垒层(5)，有源区(6)，上势垒层(7)，M型渐变上波导层(8)，Zn掺杂上限制层(9)，欧姆接触层(10)。通过上述方式，本发明设计了一种新型的外延结构，引入了一种M型渐变波导层结构来降低激光器的阈值电流密度和远场垂直发散角。