本发明公开了一种高频耐电压薄膜电容，由Cu上、下电极和TiTe3O8‑MnO2电介质层构成MIM结构。本发明所提出的一种具有高频耐电压特性的薄膜电容，利用MnO2掺杂TiTe3O8，通过改变工艺参数，实现薄膜性能的优化；采用射频磁控溅射，沉积TiTe3O8‑MnO2介质薄膜；同时利用TiTe3O8‑MnO2介质薄膜可低温退火特性，解决薄膜高温烧结问题；通过退火，调控薄膜微结构及介电性能；采用优化的TiTe3O8‑MnO2介质薄膜沉积工艺，制备MIM结构的薄膜电容。本发明的高频耐电压薄膜电容制备过程简单，可重复性高；薄膜电容频率特性优良，介电性能稳定，且耐电压。